由多路复用器引发的多通道模拟量采集结果偏差大的解决方法 - Part II



硬件: Multifunction DAQ (MIO)>>M Series>>USB-6259

问题:
我在使用NI的数据采集卡进行多通道数据采集,如果每次只对一个通道的信号进行采集,既每个任务只有一个被测物理通道,测量结果很理想;一旦一个采集任务中包含有多个通道,往往出现某些通道的测量值与真实值偏差很大,相邻通道间出现干扰,某个通道采集结果出现了另外一个通道的波形特征等现象,导致测量出错;并且采样速率越高,偏差越大。这个问题如何解决?


解答:

3)使用缓冲器,降低信号源阻抗。 

        降低信号源阻抗,是减小鬼影现象影响的最佳方法。理论上信号源阻抗足够低,内部等效电容C两端电压在足够短的时间内达到被测量的电压,测量值越接近真实值。而降低信号源阻抗的方法通常是使用放大器或电压跟随器(可参考KB 2O8AD10T) ,这往往会带来额外的成本开销,并使得测量电路变得更复杂。

    下面的例子中,同时对Source4Source1(信号源特性见表1)进行测量,结果如图9所示:
9a. Source4()Source1()同时测量,采样率10kDIFF
 9b. Source4()Source1加缓冲电路()同时测量,采样率10kDIFF
     
    图9a表明,直接对Source4Source1进行测量,使用AI4->AI1扫描序列,Source1的测量失真严重,其幅值、均值都与实际值完全不符;使用电压跟随器对Source1进行调理,降低其输出阻抗,测量结果见图9b,此时,信号被正确采集。
 
4)合理设置扫描序列,或加入接地通道,缩短放大器稳定时间。
         假设要同时测量Source4Source3 (信号源特性见表1)Source4使用±5V的量程,而Source3使用±0.2V量程,MUXSource4切换到Source3接近一个阶跃过程,放大器同时切换量程和调理大幅变化的电压信号,其稳定时间往往很长。如果如果在扫描序列中,加入接地通道,能有效改善测量性能。
    假设需要对Source4Source3进行测量,分别试验了直接编程按AI4->AI3扫描序列测量,以及在Source4Source3间加入Source7 (信号源特性见表1),按AI4->AI7->AI3进行测量,实验结果如下:
10a. Source4()Source3()同时测量,采样率200kDIFF
10b. Source4()Source7()Source3()同时测量,采样率200kDIFF
   
    由于Source3值非常小,受噪声影响很大,因此用了Basic Averaged DC-RMS VI,来计算DC均值;图10a中,扫描序列为AI4->AI3,Source3测量结果为112.21mV;而加入接地通道后,AI4->AI7->AI3序列的测量结果显示,Source3的测量结果-44.14mV,非常接近真实值。
    上例中,如果是AI4->AI3扫描,当MUX切换至AI3时,内部放大器处理的是从4V到-42.5mV的阶跃,且Source3阻抗很大,因而稳定时间会很长,造成测量值错误。如果加入接地通道,按AI4->AI7->AI3序列扫描,在MUX切换到AI3前,已经切换至AI7(AIGND),由于AI7阻抗很低,放大器很容易建立到0V状态,而MUX再切换至AI3,相当于一个0V到-42.5mV的阶跃,放大器处理这个阶跃的时间就小得多,因此可以获得更精确的测量值。
    合理组织测量序列,使得量程相同、电压范围接近的通道在扫描序列中位于相邻位置,尽量避免相邻序列频繁出现大压差的电压阶跃,是减小鬼影效应,提高测量准确性的有效方法,加入接地通道也是这种思想催生的方法。
关于如何合理配置扫描顺序,M Series User Manual   4-8页也有详细叙述,可以从此文档中获得更详尽的内容。
 
5)加入虚拟通道,获得额外的建立时间。
    可以使用虚拟通道的方法,在测量扫描序列中多次连续测量同一实际物理通道,MUX将会多次停留在相同的位置,为放大器获得额外的稳定时间。这种方法通常是通过增加全局虚拟通道实现的。KB 3L8IETLOKB 6OGJ334C 都提到了这种方法,在此不在赘述,只给出结果。   
    同样还是上述测量任务,在AI4->AI3中加入AI3 Dummy,形成AI4->AI3 Dummy->AI3D扫描序列,测量结果如下:
图11. Source4(左)、Source3Dummy(中)、Source3(右)同时测量,采样率200k,DIFF
 
    使用虚拟通道之后,Source3的最终测量结果得到了一定的改善,dummy通道的测量值是12.6mV,而Source3的测量值时-41.3mV
 
To be continued,refer to Part III.


相关链接: http://ae.natinst.com/public.nsf/allbydate/A6B924D09AD9CD88862578B800532B2F?OpenDocument&id=299
http://ae.natinst.com/public.nsf/web/searchinternal/b9bcdfd960c06b9186256a37007490cd?OpenDocument
http://digital.ni.com/public.nsf/websearch/73CB0FB296814E2286256FFD00028DDF?OpenDocument
http://digital.ni.com/public.nsf/websearch/65E7445DB1AA5DC586256A410058697B?OpenDocument
http://ae.natinst.com/public.nsf/web/searchinternal/2a6356ec1609cdfb8625738c004327ad?OpenDocument
http://digital.ni.com/public.nsf/websearch/CF83426BC3AC514A86256C10005A4771?OpenDocument

附件:





报告日期: 08/31/2015
最近更新: 09/01/2015
文档编号: 70U3GMMX